Références fabricant

MOSFET 2 canal N Double onsemi 2.9 A 30 V Enrichissement, 6 broches, WDFN PowerTrench Non

Code commande RS:: 184-4217
Référence fabricant:: FDMA2002NZ
Marque:: onsemi

MOSFET 2 canal N Double onsemi 2.9 A 30 V Enrichissement, 6 broches, WDFN PowerTrench Non

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

816,00 €

978,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,272 €	816,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 184-4217
Référence fabricant:: FDMA2002NZ
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	2.9A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Série	PowerTrench
	Type de Boitier	WDFN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	268mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	2.4nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	12V
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.5W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	900mV
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Double
	Normes/homologations	No
	Largeur	2mm
	Longueur	2mm
	Hauteur	750μm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 2.9A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Série PowerTrench
	Type de Boitier WDFN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 268mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.4nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 12V
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.5W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 900mV
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Double
	Normes/homologations No
	Largeur 2mm
	Longueur 2mm
	Hauteur 750μm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

Datasheet FDMA2002NZ

Pays d'origine :: TH

Cet appareil est conçu spécifiquement comme une solution unique pour les besoins de commutation double dans le combiné cellulaire et d'autres applications ultra-portables. Il dispose de deux MOSFET N-Channel indépendants avec une faible résistance à l'état pour des pertes de conduction minimales. Le MicroFET 2x2 offre des performances thermiques exceptionnelles pour sa taille physique et convient parfaitement aux applications en mode linéaire.

2,9 A, 30 V.

RDS(ON) = 123 mΩ à VGS = 4,5 V.

RDS(ON) = 140 mΩ à VGS = 3,0 V.

RDS(ON) = 163 mΩ à VGS = 2,5 V.

Profil bas - 0,8 mm maximum - dans le nouveau boîtier MicroFET 2x2 mm

Niveau de protection HBM ESD=1,8 kV (remarque 3)

Exempt de composés halogénés et d'oxydes d'antimoine

Applications

Ce produit est d'usage général et convient à de nombreuses applications différentes

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