Références fabricant

MOSFET 2 canal N Double onsemi 2.9 A 30 V Enrichissement, 6 broches, WDFN PowerTrench Non

Code commande RS:: 184-5019
Référence fabricant:: FDMA2002NZ
Marque:: onsemi

MOSFET 2 canal N Double onsemi 2.9 A 30 V Enrichissement, 6 broches, WDFN PowerTrench Non

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

14,24 €

17,08 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

900 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 180	0,712 €	14,24 €
200 - 480	0,613 €	12,26 €
500 +	0,532 €	10,64 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 184-5019
Référence fabricant:: FDMA2002NZ
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	2.9A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	WDFN
	Série	PowerTrench
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	268mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	2.4nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.5W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	12V
	Tension directe Vf	900mV
	Configuration du transistor	Double
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	2mm
	Hauteur	750μm
	Normes/homologations	No
	Largeur	2mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 2.9A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier WDFN
	Série PowerTrench
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 268mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.4nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.5W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 12V
	Tension directe Vf 900mV
	Configuration du transistor Double
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 2mm
	Hauteur 750μm
	Normes/homologations No
	Largeur 2mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

Datasheet FDMA2002NZ

Pays d'origine :: TH

Cet appareil est conçu spécifiquement comme une solution unique pour les besoins de commutation double dans le combiné cellulaire et d'autres applications ultra-portables. Il dispose de deux MOSFET N-Channel indépendants avec une faible résistance à l'état pour des pertes de conduction minimales. Le MicroFET 2x2 offre des performances thermiques exceptionnelles pour sa taille physique et convient parfaitement aux applications en mode linéaire.

2,9 A, 30 V.

RDS(ON) = 123 mΩ à VGS = 4,5 V.

RDS(ON) = 140 mΩ à VGS = 3,0 V.

RDS(ON) = 163 mΩ à VGS = 2,5 V.

Profil bas - 0,8 mm maximum - dans le nouveau boîtier MicroFET 2x2 mm

Niveau de protection HBM ESD=1,8 kV (remarque 3)

Exempt de composés halogénés et d'oxydes d'antimoine

Applications

Ce produit est d'usage général et convient à de nombreuses applications différentes

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.

MOSFET 2 canal N Double onsemi 2.9 A 30 V Enrichissement, 6 broches, WDFN PowerTrench Non

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Options de tarification en gros

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités