MOSFET onsemi canal N, WDFN 2,9 A 30 V, 6 broches

Cet appareil est conçu spécifiquement comme une solution unique pour les besoins de commutation double dans le combiné cellulaire et d'autres applications ultra-portables. Il dispose de deux MOSFET N-Channel indépendants avec une faible résistance à l'état pour des pertes de conduction minimales. Le MicroFET 2x2 offre des performances thermiques exceptionnelles pour sa taille physique et convient parfaitement aux applications en mode linéaire.

2,9 A, 30 V.
RDS(ON) = 123 mΩ à VGS = 4,5 V.
RDS(ON) = 140 mΩ à VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 mΩ à VGS = 2,5 V.
Profil bas - 0,8 mm maximum - dans le nouveau boîtier MicroFET 2x2 mm
Niveau de protection HBM ESD=1,8 kV (remarque 3)
Exempt de composés halogénés et d'oxydes d'antimoine
Applications
Ce produit est d'usage général et convient à de nombreuses applications différentes