MOSFET P onsemi 130 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BVSS8L AEC-Q101

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Code commande RS:
184-4729
Référence fabricant:
BVSS84LT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

130mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Série

BVSS8L

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.2nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

2.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

225mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Longueur

3.04mm

Hauteur

1.01mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance automobile idéal pour les applications de faible puissance. Niveau logique SOT-23 monocanal P -50V -130mA 10 Ohm. Compatible PPAP et adapté aux applications automobiles.

Qualifié AEC

Compatible PPAP

Le boîtier miniature SOT-23 à montage en surface sauve de l'espace sur la carte

MOSFET AUTOMOBILE

Applications

Convertisseurs c.c.-c.c.

Commutation de charge

Gestion de l'alimentation dans les produits portables et alimentés par batterie tels que les ordinateurs, les imprimantes, les téléphones cellulaires et sans fil

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