MOSFET onsemi, TSOT-23, 6 broches

Ces MOSFET N-Channel 100V spécifiés sont produits à l'aide d'un processus Advanced PowerTrench qui a été spécialement adapté pour minimiser la résistance à l'état et pourtant maintenir une faible charge de porte pour des performances de commutation supérieures. Ces dispositifs ont été conçus pour offrir une dissipation de puissance exceptionnelle dans un très petit encombrement pour les applications où les plus grands paquets SO-8 et TSSOP-8 plus coûteux sont impratiques.

1,0 A, 100 V
RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V.
RDS(on) = 550 mΩ à VGS = 6 V.
Faible charge de la porte (3,7nC typique)
Vitesse de commutation élevée
Technologie de tranchée hautes performances pour RDS(ON) extrêmement faible
Emballage SuperSOT™-6 : faible encombrement 72 % (inférieur à la norme SO-8), profil bas (épaisseur 1 mm)
Applications
Ce produit est pour un usage général et adapté à de nombreuses applications différentes.