MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 70 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 188-4883
- Référence fabricant:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,144 €
HT
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TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,144 € | 432,00 € |
| 6000 + | 0,137 € | 411,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-4883
- Référence fabricant:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal N 30 V (D-S).
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 70 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | PowerPAK SO-8 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 7,1 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V |
| Dissipation de puissance maximum | 36 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -16 V, +20 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 20,7 nC @ 10 V |
| Longueur | 5.99mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 5mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.07mm |
| Tension directe de la diode | 1.1V |
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