MOSFET de puissance canal N Vishay 60 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 Si7164DP
- Code commande RS:
- 165-7097
- Référence fabricant:
- SI7164DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 165-7097
- Référence fabricant:
- SI7164DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Série | Si7164DP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00625Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 49.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.26mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Série Si7164DP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00625Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 49.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.26mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Longueur 6.25mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance canal N Vishay 60 A 60 V Enrichissement PowerPAK SO-8 Si7164DP
- MOSFET canal N Vishay 60 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 65.7 A 60 V Enrichissement PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 60 A 30 V, PowerPAK SO-8
- MOSFET canal N Vishay 265 A 80 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 74 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 64 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET