MOSFET de puissance canal N Vishay 60 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 Si7164DP

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787-9529
Référence fabricant:
SI7164DP-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

Si7164DP

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00625Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

49.5nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.12mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

6.25mm

Largeur

5.26mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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