MOSFET canal N Vishay 60 A 30 V, PowerPAK SO-8
- Code commande RS:
- 256-7428
- Référence fabricant:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 256-7428
- Référence fabricant:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0095Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0095Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transmosfet N-CH 30 V 35,9 A 8 broches powerPAK SO T, R de Vishay Semiconductor. Ses applications sont la rectification synchrone, les c.c., c.c. et VRM haute densité de puissance et les c.c., c.c. intégrés.
MOSFET de puissance TrenchFET
Testé 100 % Rg et UIS
Faible Qg pour un haut rendement
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