MOSFET canal N Vishay 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 367,00 €

HT

2 841,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Dernier stock RS
  • 6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,789 €2 367,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
256-7418
Référence fabricant:
SIJ482DP-T1-GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK SO-8L

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0095Ω

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le mosfet 80 V (D-S) à canal N de Vishay Semiconductor à montage en surface 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) et ses applications sont c.c., commutateur latéral primaire c.c., rectification synchrone, commutation de courant élevé.

MOSFET de puissance TrenchFET

Testé 100 % Rg et UIS

Capable de fonctionner avec un entraînement de grille de 5 V

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.