MOSFET canal N Vishay 19 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 EF
- Code commande RS:
- 188-4973
- Référence fabricant:
- SIHA22N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 25 - 45 | 3,586 € | 17,93 € |
| 50 - 120 | 3,386 € | 16,93 € |
| 125 - 245 | 3,182 € | 15,91 € |
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- Code commande RS:
- 188-4973
- Référence fabricant:
- SIHA22N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 19A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | EF | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.182Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 48nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 33W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.3mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Hauteur | 15.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 19A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série EF | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.182Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 48nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 33W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.3mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Hauteur 15.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF avec diode à corps rapide.
Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg
Faible capacité d'entrée
Pertes de conduction et de commutation réduites
APPLICATIONS
Alimentations de serveur et de télécom
Alimentations à découpage (SMPS)
Alimentations à correction du facteur de puissance (PFC)
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