MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 600 V, 3 broches

Code commande RS:: 177-7628
Référence fabricant:: SIHB28N60EF-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 600 V, 3 broches

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Code commande RS:: 177-7628
Référence fabricant:: SIHB28N60EF-GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

SiHB28N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Transistor MOSFET à canal N avec diode rapide, série EF, Vishay Semiconductor

Temps de récupération inverse, charge de recouvrement inverse, et courant de récupération inverse réduits
Facteur de mérite (FOM) faible
Faible capacité d'entrée
Robustesse améliorée grâce à la charge de recouvrement inverse faible
Très faible charge de grille (QG)

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	28 A
Tension Drain Source maximum	600 V
Série	EF Series
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	123 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	250 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	9.65mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	80 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Longueur	10.67mm
Hauteur	4.83mm
Tension directe de la diode	1.2V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C