MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SiHB105N60EF
- Code commande RS:
- 204-7205
- Référence fabricant:
- SIHB105N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
21,54 €
HT
25,85 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 16 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,308 € | 21,54 € |
| 25 - 45 | 3,488 € | 17,44 € |
| 50 - 120 | 3,394 € | 16,97 € |
| 125 - 245 | 3,312 € | 16,56 € |
| 250 + | 3,228 € | 16,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-7205
- Référence fabricant:
- SIHB105N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | SiHB105N60EF | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 102mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 15.88mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série SiHB105N60EF | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 102mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 53nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4.83mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 15.88mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay avec diode à corps rapide est doté d'une technologie série E de 4e génération. Il réduit les pertes de commutation et de conduction.
Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg
Faible capacité effective (Co(er)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-263 SiHB105N60EF
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-263 E
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-247 E
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-220 E
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-220 SiHA105N60EF
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-247 SiHG105N60EF
- MOSFET canal N Vishay 19 A 600 V Enrichissement TO-263 SiHB22N60EF
- MOSFET canal N Vishay 41 A 600 V Enrichissement TO-263 SiHB068N60EF