MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 19 A 600 V, 3 broches

Code commande RS:: 188-4872
Référence fabricant:: SIHB22N60EF-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 19 A 600 V, 3 broches

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Prix pour l'unité (en tube de 50)

2,10 €

2,52 €

Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	2,10 €	105,00 €
100 - 200	1,806 €	90,30 €
250 +	1,68 €	84,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 188-4872
Référence fabricant:: SIHB22N60EF-GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

Datasheet SIHB22N60EF-GE3

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET de puissance série EF avec diode à corps rapide.

Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg
Faible capacité d'entrée
Pertes de conduction et de commutation réduites
APPLICATIONS
Alimentations de serveur et de télécom
Alimentations à découpage (SMPS)
Alimentations à correction du facteur de puissance (PFC)

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	19 A
Tension Drain Source maximum	600 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	182 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	179 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±30 V
Largeur	9.65mm
Charge de Grille type @ Vgs	48 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	10.41mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	4.57mm
Tension directe de la diode	1.2V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 19 A 600 V, 3 broches

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