MOSFET canal N Vishay 19 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SiHB22N60EF
- Code commande RS:
- 188-4872
- Référence fabricant:
- SIHB22N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
78,25 €
HT
93,90 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 1 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,565 € | 78,25 € |
| 100 - 200 | 1,346 € | 67,30 € |
| 250 + | 1,266 € | 63,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-4872
- Référence fabricant:
- SIHB22N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 19A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | SiHB22N60EF | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 182mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 48nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Longueur | 10.41mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 19A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série SiHB22N60EF | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 182mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 48nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Longueur 10.41mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF avec diode à corps rapide.
Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg
Faible capacité d'entrée
Pertes de conduction et de commutation réduites
APPLICATIONS
Alimentations de serveur et de télécom
Alimentations à découpage (SMPS)
Alimentations à correction du facteur de puissance (PFC)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 19 A 600 V Enrichissement TO-263 SiHB22N60EF
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-263 E
- MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement TO-263 SiHB105N60EF
- MOSFET canal N Vishay 41 A 600 V Enrichissement TO-263 SiHB068N60EF
- MOSFET canal N Vishay 8.4 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET canal N Vishay 28 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET canal N Vishay 3.6 A 600 V Enrichissement TO-263 SiHFBC30AS
- MOSFET canal N Vishay 35 A 600 V Enrichissement TO-263 SIHB