MOSFET canal N Vishay 33.7 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS128LDN

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188-5153
Référence fabricant:
SiS128LDN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

33.7A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

SiS128LDN

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

20.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

39W

Tension directe Vf

1.1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.15mm

Normes/homologations

No

Longueur

3.15mm

Hauteur

1.07mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N 80 V (D-S).

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV

Très faible valeur de mérite RDS x Qg (FOM)

Réglé pour le plus faible champ d'exploration RDS x Qoss

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