MOSFET onsemi canal N, LFPAK8 258 A 40 V, 8 broches

Code commande RS:: 189-0262
Référence fabricant:: NTMYS1D2N04CLTWG
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, LFPAK8 258 A 40 V, 8 broches

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Code commande RS:: 189-0262
Référence fabricant:: NTMYS1D2N04CLTWG
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet NTMYS1D2N04CLTWG

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET de puissance pour les applications industrielles dans un boîtier à câble plat 5 x 6 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	258 A
Tension Drain Source maximum	40 V
Type de boîtier	LFPAK8
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	1,7 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2V
Tension de seuil minimale de la grille	1.2V
Dissipation de puissance maximum	134 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs	109 nC @ 10 V
Longueur	5mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Tension directe de la diode	1.2V
Hauteur	1.2mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET onsemi canal N, LFPAK8 258 A 40 V, 8 broches

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