MOSFET canal N STMicroelectronics 25 A 600 V Enrichissement, 5 broches, PowerFLAT
- Code commande RS:
- 192-4899
- Référence fabricant:
- STL45N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 192-4899
- Référence fabricant:
- STL45N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 44nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 44nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec un comportement de commutation efficace pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) inférieur par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Protégé contre les Zener
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