MOSFET onsemi canal N, LFPAK8 200 A 40 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 195-2508
- Référence fabricant:
- NVMJS1D5N04CLTWG
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 195-2508
- Référence fabricant:
- NVMJS1D5N04CLTWG
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles dans un boîtier à câble plat 5 x 6 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques. Option de flanc mouillable disponible pour l'inspection optique améliorée. Compatible MOSFET et PPAP, adapté aux applications automobiles.
Encombrement réduit (5 x 6 mm) pour une conception compacte
Faible RDS (marche) pour réduire les pertes de conduction
Faibles QG et capacité pour réduire les pertes de commande
Boîtier LFPAK8, norme industrielle
Compatible PPAP
Ces dispositifs sont sans plomb
Faible RDS (marche) pour réduire les pertes de conduction
Faibles QG et capacité pour réduire les pertes de commande
Boîtier LFPAK8, norme industrielle
Compatible PPAP
Ces dispositifs sont sans plomb
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 200 A |
| Tension Drain Source maximum | 40 V |
| Type de boîtier | LFPAK8 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 2,2 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V |
| Dissipation de puissance maximum | 110 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±20 V |
| Largeur | 4.9mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Longueur | 5mm |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Hauteur | 1.15mm |
| Tension directe de la diode | 1.2V |
| Standard automobile | AEC-Q101 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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