MOSFET canal N Vishay 36 A 650 V Enrichissement, 5 broches, PowerPAK 8 x 8 EF

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Code commande RS:
200-6830
Référence fabricant:
SIHH070N60EF-T1GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

36A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

EF

Type de Boitier

PowerPAK 8 x 8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

71mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

75nC

Dissipation de puissance maximum Pd

202W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.05mm

Hauteur

8.1mm

Longueur

8.1mm

Standard automobile

Non

Le Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 est un transistor MOSFET de puissance série EF avec diode à corps rapide.

Technologie série E de 4e génération

Faible valeur de mérite

Faible capacité efficace

Pertes de conduction et de commutation réduites

Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)

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