MOSFET canal N STMicroelectronics 10 A 480 V Épuisement, 3 broches, TO-252 STD

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Code commande RS:
202-4809
Référence fabricant:
STD13N60M6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

480V

Série

STD

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

380mΩ

Mode de canal

Épuisement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

13nC

Dissipation de puissance maximum Pd

92W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Hauteur

10.1mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier DPAK a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.

Testé à 100 % en avalanche

Protégé contre les Zener

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