MOSFET canal Type N STMicroelectronics 68 A 650 V Épuisement, 3 broches, TO-247 ST Non

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Code commande RS:
202-5554
Référence fabricant:
STWA70N65DM6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

68A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

ST

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.036Ω

Mode de canal

Épuisement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

125nC

Dissipation de puissance maximum Pd

450W

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

41.2mm

Longueur

15.9mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché.

Testé à 100 % en avalanche

Protégé contre les Zener

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