MOSFET N Vishay 165 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SiR626ADP
- Code commande RS:
- 204-7199
- Référence fabricant:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 721,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,907 € | 2 721,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-7199
- Référence fabricant:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 165A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | SiR626ADP | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.75mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 83nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.26mm | |
| Hauteur | 6.25mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 165A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série SiR626ADP | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.75mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 83nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.26mm | ||
Hauteur 6.25mm | ||
Standard automobile Non | ||
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