MOSFET P Vishay 37.1 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SiR

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l'unité (par multiple de 4)

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HT

12,12 €

TTC

Code commande RS:
279-9952
Référence fabricant:
SIR5623DP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

37.1A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SO-8

Série

SiR

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.024Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33nC

Dissipation de puissance maximum Pd

59.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5.15mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le MOSFET de Vishay est un MOSFET à canal P et le transistor qu'il contient est constitué d'un matériau connu sous le nom de silicium.

MOSFET de puissance de nouvelle génération

100 % testé Rg et UIS

Produit FOM à très faible RDS x Qg

Dispositif entièrement exempt de plomb (Pb)

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