MOSFET P Vishay 90.9 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SiR
- Code commande RS:
- 279-9951
- Référence fabricant:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 279-9951
- Référence fabricant:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 90.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SiR | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.007Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 112nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 90.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SiR | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.007Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 112nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.15mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de Vishay est un MOSFET à canal P et le transistor qu'il contient est constitué d'un matériau connu sous le nom de silicium.
MOSFET de puissance TrenchFET
100 % testé Rg et UIS
Moins de chute de tension
Réduit la perte de conduction
Dispositif entièrement exempt de plomb (Pb)
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