MOSFET canal N onsemi 61 A 150 V Enrichissement, 8 broches, PQFN PowerTrench
- Code commande RS:
- 205-2430
- Référence fabricant:
- NTMFS015N15MC
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 205-2430
- Référence fabricant:
- NTMFS015N15MC
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 61A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 14mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 108.7W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.9mm | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 900μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 61A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 14mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 108.7W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.9mm | ||
Largeur 4.9mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 900μm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à canal N 150 V de la série on Semiconductor Power Trench est produit à l'aide d'un processus Advanced qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation avec une diode de corps progressive haut de gamme.
La valeur nominale de courant de drain maximum est de 61 A.
La résistance de drain à source est de 14 Mohm
Encombrement réduit (5 x 6 mm) pour une conception compacte
Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver
Testé à 100 % UIL
Le boîtier est Power 56 (PQFN8)
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