MOSFET canal N onsemi 54 A 100 V Enrichissement, 5 broches, DFN NTMFS
- Code commande RS:
- 205-2453
- Référence fabricant:
- NTMFS015N10MCLT1G
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 205-2453
- Référence fabricant:
- NTMFS015N10MCLT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 54A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | NTMFS | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 79W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 54A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série NTMFS | ||
Type de Boitier DFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 79W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6mm | ||
Standard automobile Non | ||
On Semiconductor MOSFET à canal N simple est doté d'une tension nominale de drain à source de 100 V et d'une intensité nominale de drain continu de 57 A. Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS.
La résistance de drain à source est de 12,2Mohm
Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver
Redresseur synchrone en c.c.-c.c. et c.a.-c.c.
Encombrement réduit (5 x 6 mm) pour une conception compacte
Entraînement de moteur
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 54 A 100 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 116 A 100 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 44 A 60 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 230 A 60 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 78 A 40 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 71 A 60 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 150 A 60 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 365 A 25 V Enrichissement DFN NTMFS