MOSFET Transistor & Diode onsemi canal N, A-220 13 A 800 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 205-2503
- Référence fabricant:
- NTP360N80S3Z
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en tube de 800)
1,833 €
HT
2,20 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,833 € | 1 466,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 205-2503
- Référence fabricant:
- NTP360N80S3Z
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET 800 V à canal N on Semiconductor série SUPERFET III est optimisé pour le commutateur principal de convertisseur à retour de vol, permet de réduire les pertes de commutation et la température de boîtier sans sacrifier les performances IEM grâce à sa conception optimisée. En outre, la diode Zener interne améliore de manière significative la capacité ESD. Cette nouvelle famille permet de rendre les applications plus efficaces, compactes, plus froides et plus robustes grâce à ses performances remarquables dans les applications d'alimentation de commutation telles que l'adaptateur d'ordinateur portable, l'audio, l'éclairage, l'alimentation ATX et les alimentations industrielles.
La valeur nominale de courant de drain continu est de 13 A.
La résistance nominale de drain à source est de 360 Mohm
Très faible charge de grille
Faible énergie stockée dans la capacité de sortie
Testé à 100 % en avalanche
Le type de boîtier est TO-220
La résistance nominale de drain à source est de 360 Mohm
Très faible charge de grille
Faible énergie stockée dans la capacité de sortie
Testé à 100 % en avalanche
Le type de boîtier est TO-220
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 13 A |
| Tension Drain Source maximum | 800 V |
| Série | SUPERFET III |
| Type de boîtier | A-220 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 360 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.8V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
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