MOSFET et Diode canal N onsemi 13 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SUPERFET III
- Code commande RS:
- 205-2498
- Référence fabricant:
- NTD360N80S3Z
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 205-2498
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- NTD360N80S3Z
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | SUPERFET III | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 360mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.55mm | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 9.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série SUPERFET III | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 360mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.55mm | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 9.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET 800 V à canal N on Semiconductor série SUPERFET III est optimisé pour le commutateur principal de convertisseur à retour de vol, permet de réduire les pertes de commutation et la température de boîtier sans sacrifier les performances IEM grâce à sa conception optimisée. En outre, la diode Zener interne améliore de manière significative la capacité ESD. Cette nouvelle famille permet de rendre les applications plus efficaces, compactes, plus froides et plus robustes grâce à ses performances remarquables dans les applications d'alimentation de commutation telles que l'adaptateur d'ordinateur portable, l'audio, l'éclairage, l'alimentation ATX et les alimentations industrielles.
La valeur nominale de courant de drain continu est de 13 A.
La résistance nominale de drain à source est de 360 Mohm
Très faible charge de grille
Faible énergie stockée dans la capacité de sortie
Testé à 100 % en avalanche
Le type de boîtier est D-PAK
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