MOSFET et Diode canal N onsemi 13 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SUPERFET III
- Code commande RS:
- 205-2497
- Référence fabricant:
- NTD360N80S3Z
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 205-2497
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- NTD360N80S3Z
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | SUPERFET III | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 360mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Largeur | 5.55mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 9.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série SUPERFET III | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 360mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Largeur 5.55mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 9.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET 800 V à canal N on Semiconductor série SUPERFET III est optimisé pour le commutateur principal de convertisseur à retour de vol, permet de réduire les pertes de commutation et la température de boîtier sans sacrifier les performances IEM grâce à sa conception optimisée. En outre, la diode Zener interne améliore de manière significative la capacité ESD. Cette nouvelle famille permet de rendre les applications plus efficaces, compactes, plus froides et plus robustes grâce à ses performances remarquables dans les applications d'alimentation de commutation telles que l'adaptateur d'ordinateur portable, l'audio, l'éclairage, l'alimentation ATX et les alimentations industrielles.
La valeur nominale de courant de drain continu est de 13 A.
La résistance nominale de drain à source est de 360 Mohm
Très faible charge de grille
Faible énergie stockée dans la capacité de sortie
Testé à 100 % en avalanche
Le type de boîtier est D-PAK
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