MOSFET 2 canal Type P, Type N Double DiodesZetex 800 mA 20 V Enrichissement, 6 broches, SOT-563 DMC2710 AEC-Q101,

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Code commande RS:
206-0057
Référence fabricant:
DMC2710UV-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P, Type N

Courant continu de Drain maximum Id

800mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

DMC2710

Type de Boitier

SOT-563

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.7Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

0.8W

Tension directe Vf

0.7V

Tension maximale de source de la grille Vgs

6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Longueur

1.55mm

Hauteur

1.5mm

Largeur

1.1mm

Normes/homologations

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET à mode d'amélioration de paire complémentaire DiodesZetex est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 6 V avec une dissipation thermique de 0,46 W.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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