MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TK090A65Z
- Code commande RS:
- 206-9724
- Référence fabricant:
- TK090A65Z,S4X(S
- Marque:
- Toshiba
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|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,405 € | 12,81 € |
| 10 - 18 | 4,975 € | 9,95 € |
| 20 - 24 | 4,88 € | 9,76 € |
| 26 - 48 | 4,485 € | 8,97 € |
| 50 + | 4,065 € | 8,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-9724
- Référence fabricant:
- TK090A65Z,S4X(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | TK090A65Z | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 47nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | -1.7V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.7mm | |
| Longueur | 28mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 10mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série TK090A65Z | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf -1.7V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.7mm | ||
Longueur 28mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 10mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à canal N en silicium de Toshiba est doté de propriétés de commutation haute vitesse avec une capacité plus faible. Il est principalement utilisé dans les alimentations à découpage.
Faible résistance de drain-source 0,075 ?
Température de stockage : -55 à 150 °C.
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