MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 TK090N65Z

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Code commande RS:
206-9725
Référence fabricant:
TK090N65Z,S1F(S
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

TK090N65Z

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

90mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

-1.7V

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

47nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

40.02mm

Hauteur

5.02mm

Largeur

15.94mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à canal N en silicium de Toshiba est doté de propriétés de commutation haute vitesse avec une capacité plus faible. Il est principalement utilisé dans les alimentations à découpage.

Faible résistance de drain-source 0,075 ?

Température de stockage : -55 à 150 °C.

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