MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 TK090Z65Z

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Code commande RS:
206-9727
Référence fabricant:
TK090Z65Z,S1F(O
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

TK090Z65Z

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

90mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

-1.7V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

47nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

5mm

Largeur

15.94mm

Longueur

40.96mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à canal N en silicium de Toshiba est doté de propriétés de commutation haute vitesse avec une capacité plus faible. Il est principalement utilisé dans les alimentations à découpage.

Faible résistance de drain-source 0,075 ?

Température de stockage : -55 à 150 °C.

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