MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 2,9 A 800 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 210-4997
- Référence fabricant:
- SIHU2N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,361 €
HT
0,433 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,361 € | 3,61 € |
| 100 - 240 | 0,351 € | 3,51 € |
| 250 - 490 | 0,342 € | 3,42 € |
| 500 - 990 | 0,333 € | 3,33 € |
| 1000 + | 0,325 € | 3,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 210-4997
- Référence fabricant:
- SIHU2N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance série E de Vishay est doté d'un boîtier Ipak (TO-251).
Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg
Faible capacité effective (Ciss)
Pertes de conduction et de commutation réduites
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Protection ESD à diode Zener intégrée
Faible capacité effective (Ciss)
Pertes de conduction et de commutation réduites
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Protection ESD à diode Zener intégrée
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 2,9 A |
| Tension Drain Source maximum | 800 V |
| Type de boîtier | IPAK (TO-251) |
| Série | E |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 2,5 Ω |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2 → 4V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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