MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH
- Code commande RS:
- 687-5352
- Référence fabricant:
- STD3NK80Z-1
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
12,00 €
HT
14,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 45 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,40 € | 12,00 € |
| 50 - 120 | 2,068 € | 10,34 € |
| 125 + | 1,622 € | 8,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 687-5352
- Référence fabricant:
- STD3NK80Z-1
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | IPAK | |
| Série | MDmesh, SuperMESH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 70W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Hauteur | 6.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier IPAK | ||
Série MDmesh, SuperMESH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 70W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.6mm | ||
Hauteur 6.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement IPAK MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 1.85 A 1 kV Enrichissement IPAK MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 1 A 600 V Enrichissement IPAK MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 250 mA 800 V Enrichissement SOT-223 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 9 A 800 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 6.2 A 800 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH