MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH
- Code commande RS:
- 687-5352
- Référence fabricant:
- STD3NK80Z-1
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 687-5352
- Référence fabricant:
- STD3NK80Z-1
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | MDmesh, SuperMESH | |
| Type de Boitier | IPAK | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 70W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série MDmesh, SuperMESH | ||
Type de Boitier IPAK | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 70W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2.4mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
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