MOSFET canal N STMicroelectronics 5.2 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
760-9516
Référence fabricant:
STB7NK80ZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5.2A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

40nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.6mm

Largeur

10.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.75mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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