MOSFET N DiodesZetex 2.6 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 DMN3060LWQ AEC-Q101

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Code commande RS:
213-9177
Référence fabricant:
DMN3060LWQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

DMN3060LWQ

Type de Boitier

SOT-323

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

0.64W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.2mm

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

La série DiodesZetex DMN3060LWQ est un transistor MOSFET à canal N. Il est utilisé dans les commutateurs d'interface à usage général, les fonctions de gestion de l'alimentation et les commutateurs analogiques.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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