Références fabricant

MOSFET P DiodesZetex 510 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, X2-DFN DMP22D5UFO AEC-Q101

Code commande RS:: 213-9200
Référence fabricant:: DMP22D5UFO-7B
Marque:: DiodesZetex

MOSFET P DiodesZetex 510 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, X2-DFN DMP22D5UFO AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

290,00 €

350,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
10000 +	0,029 €	290,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 213-9200
Référence fabricant:: DMP22D5UFO-7B
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	510mA
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Série	DMP22D5UFO
	Type de Boitier	X2-DFN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.9Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.3nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	0.77W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	8V
	Tension directe Vf	-1.1V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	0.4mm
	Largeur	0.45mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	0.65mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 510mA
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Série DMP22D5UFO
	Type de Boitier X2-DFN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.9Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.3nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 0.77W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 8V
	Tension directe Vf -1.1V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 0.4mm
	Largeur 0.45mm
	Normes/homologations No
	Longueur 0.65mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - DMP22D5UFO-7B

La série DiodesZetex DMP22D5UFO est un transistor MOSFET à canal P. Il est utilisé dans les commutateurs d'interface à usage général, les fonctions de gestion de l'alimentation et les commutateurs analogiques.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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