- Code commande RS:
- 214-4344
- Référence fabricant:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 5000)
0,406 €
HT
0,487 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
---|---|---|
5000 + | 0,406 € | 2 030,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4344
- Référence fabricant:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET à super jonction P7 Cool MOS 600 V continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de classe et la faible charge de grille (QG) inhérente à la plate-forme de 7e génération Cool MOS TM garantissent un haut rendement.
Il est doté d'une diode de corps robuste
Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET
Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 40 A |
Tension Drain Source maximum | 80 V |
Série | OptiMOS™ 5 |
Type de boîtier | PQFN 3 x 3 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 8 |
Résistance Drain Source maximum | 0,011 Ω |
Tension de seuil maximale de la grille | 3.8V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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