MOSFET canal N Infineon 12.5 A 700 V Enrichissement, 3 broches, IPAK 700V CoolMOS P7

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Code commande RS:
214-4422
Référence fabricant:
IPSA70R360P7SAKMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12.5A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Série

700V CoolMOS P7

Type de Boitier

IPAK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

360mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.4nC

Dissipation de puissance maximum Pd

59.5W

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Tension directe Vf

900mV

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.3mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.1mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

Non

La série MOSFET Super Junction MOS P7 de 700 V s'adresse au marché des alimentations SMPS à faible consommation, telles que les chargeurs de téléphone mobile ou les adaptateurs pour ordinateur portable, en offrant des gains de performances fondamentaux.

Il prend en charge moins de taille magnétique avec des coûts de nomenclature plus faibles

Il est doté d'une grande robustesse ESD

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