MOSFET Infineon canal N, DirectFET isométrique 1,06 A 40 V

Infineon combine la toute dernière technologie de silicium MOSFET de puissance HEXFET automobile avec la plate-forme Advanced d'emballage pour obtenir une faible perte combinée à l'état passant et à la commutation dans un boîtier qui a l'encombrement d'un profil SO-8 et de seulement 0,7 mm. Le boîtier est compatible avec les géométries de disposition existantes utilisées dans les applications d'alimentation, l'équipement d'assemblage de CI et les techniques de soudage par infrarouge ou par convection, etc. Le boîtier permet un refroidissement double face pour maximiser le transfert thermique dans les systèmes d'alimentation, améliorant la meilleure résistance thermique précédente de 80 %.

Faibles pertes de conduction et de commutation
Optimisé pour la commutation haute fréquence