MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 522 A 40 V, 7 broches
- Code commande RS:
- 215-2453
- Référence fabricant:
- AUIRFS8409-7TRL
- Marque:
- Infineon
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Prix pour l'unité (en bobine de 800)
2,807 €
HT
3,368 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
---|---|---|
800 + | 2,807 € | 2 245,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-2453
- Référence fabricant:
- AUIRFS8409-7TRL
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance Infineon Automotive DirectFET ® est doté d'une tension de source de drain maximale de 60 V avec un courant de drain continu maximum de 68 A dans un boîtier D2-Pak à 7 broches. Spécialement conçu pour les applications automobiles, ce transistor MOSFET de puissance HEXFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de ces conceptions sont la température d'utilisation de la jonction à 175 °C, la vitesse de commutation rapide et l'amélioration de l'indice d'avalanche répétitif. Cette fonction combinée pour faire de ce produit un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans l'automobile et une grande variété d'autres applications.
Technologie de traitement avancée
Nouvelle très faible résistance à l'état passant
Commutation rapide
Avalanche répétitive permettant un Tjmax
Sans plomb
Nouvelle très faible résistance à l'état passant
Commutation rapide
Avalanche répétitive permettant un Tjmax
Sans plomb
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 522 A |
Tension Drain Source maximum | 40 V |
Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
Série | HEXFET |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 7 |
Résistance Drain Source maximum | 0,00075 Ω |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Matériau du transistor | Si |
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