MOSFET Infineon canal P, SC-59 620 mA 60 V, 3 broches

Transistor à effet de champ (FET) Infineon SIPMOS ® à transistor à petit signal à canal P à mode d'enrichissement à effet de champ, tension source de drain maximale de -20 V avec type de boîtier SOT-23. Les familles OptiMOS TM extrêmement innovantes d'Infineon incluent des transistors MOSFET de puissance à canal P. Ces produits répondent de manière constante aux exigences de qualité et de performances les plus élevées dans les spécifications clés pour la conception de système d'alimentation, telles que la résistance à l'état passant et la figure des caractéristiques de mérite. Le BSS84P est un transistor MOSFET à mode d'amélioration à canal P dans un petit boîtier à montage en surface avec des performances de commutation supérieures. Ce produit est particulièrement adapté pour les applications basse tension à faible courant.

Mode d'enrichissement
niveaux logiques
Résistance aux avalanches
Commutation rapide
Valeur nominale DV/dt
Placage sans plomb