MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 90 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 215-2519
- Référence fabricant:
- IPD90N06S4L03ATMA2
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
0,887 €
HT
1,064 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,887 € | 2 217,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-2519
- Référence fabricant:
- IPD90N06S4L03ATMA2
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor de puissance Infineon OptiMOS ®-T2 est doté d'une tension de source de drain maximale de 60 V, N-Ch, MOSFET automobile, avec boîtier DPAK(TO-252).
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
RDSon ultra-faible
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
RDSon ultra-faible
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 90 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Série | OptiMOS™ -T2 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,0035 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.2V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
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