MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches

La série Infineon HEXFET Power MOSFET est dotée d'une tension de source de drain maximale de 55 V, c'est un transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique dans un boîtier D-Pak. Le HEXFET de cinquième génération Infineon international Rectifier utilise des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance à la surface de silicium. Ces avantages, combinés à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour lesquels le transistor MOSFET de puissance HEXFET est bien connu, fournissant un dispositif de niveau suffisant, fournissent au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D-pack est conçu pour le montage en surface à l'aide de la technique de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague.

Technologie de traitement avancée
Résistance à l'état passant ultra faible
Sans plomb
Entièrement en avalanche