MOSFET Taiwan Semiconductor, PDFN56 55 A 30 V, 8 broches

Code commande RS:: 216-9672
Référence fabricant:: TSM080N03EPQ56
Marque:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor, PDFN56 55 A 30 V, 8 broches

1667 En stock pour livraison sous 3 jour(s)

Uniquement disponible en livraison standard

Prix pour l'unité (par multiple de 50)

0,771 €

0,925 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
50 - 50	0,771 €	38,55 €
100 - 200	0,693 €	34,65 €
250 - 450	0,679 €	33,95 €
500 - 950	0,631 €	31,55 €
1000 +	0,618 €	30,90 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 216-9672
Référence fabricant:: TSM080N03EPQ56
Marque:: Taiwan Semiconductor

Documentation technique

Datasheet-TSM080N03EPQ56

Législation et Conformité

Détail produit

Ne se fonce pas

Les transistors MOSFET de puissance à canal N simple Taiwan Semiconductor sont des transistors à effet de champ à semiconducteur en oxyde de métal. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.

Faible RDS(ON) pour minimiser les pertes conductrices Faible charge de grille pour une commutation de puissance rapide Testé à 100 % par ISU et Rg

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Courant continu de Drain maximum	55 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Série	TSM025
Type de boîtier	PDFN56
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	8 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.5V
Matériau du transistor	Silicium