MOSFET canal N DiodesZetex 14.1 A 30 V Enrichissement, 6 broches, UDFN DMT AEC-Q101

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Code commande RS:
222-2865
Référence fabricant:
DMT3006LFDFQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

14.1A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

UDFN

Série

DMT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.1W

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.05mm

Hauteur

630μm

Largeur

2.05mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration à canal N est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles. Il est certifié AEC-Q101, pris en charge par un PPAP.

Encombrement sur circuit imprimé de 4 mm2

Tension de seuil basse de la grille

Vitesse de commutation élevée

Totalement sans plomb et entièrement conforme à la directive RoHS

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