MOSFET canal N DiodesZetex 11.5 A 50 V Enrichissement, 6 broches, UDFN DMT AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

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Code commande RS:
921-1164
Référence fabricant:
DMT5015LFDF-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11.5A

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Série

DMT

Type de Boitier

UDFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

23mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

700mV

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16V, +16V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.97W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.05mm

Hauteur

580μm

Normes/homologations

No

Largeur

2.05mm

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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