MOSFET canal N DiodesZetex 11.1 A 60 V Enrichissement, 6 broches, UDFN DMT6016LFDF AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

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921-1170
Référence fabricant:
DMT6016LFDF-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11.1A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

DMT6016LFDF

Type de Boitier

UDFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

27mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.9W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

700mV

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

2.05mm

Hauteur

580μm

Largeur

2.05mm

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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