MOSFET canal N Double DiodesZetex 10.6 A 30 V Enrichissement, 8 broches, VDFN-3030 DMT AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- Code commande RS:
- 222-2868
- Référence fabricant:
- DMT3009UDT-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 222-2868
- Référence fabricant:
- DMT3009UDT-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | VDFN-3030 | |
| Série | DMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.011Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 16W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14.6nC | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier VDFN-3030 | ||
Série DMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.011Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 16W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14.6nC | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
Le transistor MOSFET à mode d'amélioration à double canal N DiodesZetex est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Tension de seuil de grille très faible
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
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