MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 6 A 100 V Enrichissement, 12 broches, VDFN DMHT10H032LFJ AEC-Q100, AEC-Q200,
- Code commande RS:
- 213-9147
- Référence fabricant:
- DMHT10H032LFJ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
18,17 €
HT
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TTC
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,817 € | 18,17 € |
| 50 - 90 | 1,781 € | 17,81 € |
| 100 - 240 | 1,589 € | 15,89 € |
| 250 - 990 | 1,557 € | 15,57 € |
| 1000 + | 1,271 € | 12,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 213-9147
- Référence fabricant:
- DMHT10H032LFJ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | VDFN | |
| Série | DMHT10H032LFJ | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 12 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.033Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 64W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 800μm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Largeur | 4.5mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier VDFN | ||
Série DMHT10H032LFJ | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 12 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.033Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 64W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 800μm | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Largeur 4.5mm | ||
Longueur 5mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
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